這是一個(gè)關(guān)于聯(lián)想手機(jī)工廠測(cè)試素材PPT（部分ppt內(nèi)容已做更新升級(jí)），主要介紹了基本概念、測(cè)試儀器簡(jiǎn)介、測(cè)試流程、連線及測(cè)試方法、測(cè)試項(xiàng)解釋和測(cè)量方法、CMU使用介紹、新增功能的測(cè)試、測(cè)試中遇到的常見(jiàn)問(wèn)題、CDMA校準(zhǔn)介紹等內(nèi)容。培訓(xùn)是給新員工或現(xiàn)有員工傳授其完成本職工作所必需的正確思維認(rèn)知、基本知識(shí)和技能的過(guò)程。是一種有組織的知識(shí)傳遞、技能傳遞、標(biāo)準(zhǔn)傳遞、信息傳遞、管理訓(xùn)誡行為。其中以技能傳遞為主，側(cè)重上崗前進(jìn)行。為了達(dá)到統(tǒng)一的科學(xué)技術(shù)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)，通過(guò)目標(biāo)規(guī)劃設(shè)定知識(shí)和信息傳遞、技能熟練演練、作業(yè)達(dá)成評(píng)測(cè)、結(jié)果交流公告等現(xiàn)代信息化的流程，讓員工通過(guò)一定的教育訓(xùn)練技術(shù)手段，達(dá)到預(yù)期的水平，提高目標(biāo)。目前國(guó)內(nèi)培訓(xùn)以技能傳遞為主，時(shí)間在側(cè)重上崗前。

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手機(jī)工廠測(cè)試培訓(xùn)2MH紅軟基地
孫曉明 2MH紅軟基地
2007年3月7日2MH紅軟基地
目錄2MH紅軟基地
基本概念2MH紅軟基地
測(cè)試儀器簡(jiǎn)介2MH紅軟基地
測(cè)試流程2MH紅軟基地
連線及測(cè)試方法2MH紅軟基地
測(cè)試項(xiàng)解釋和測(cè)量方法2MH紅軟基地
CMU使用介紹2MH紅軟基地
新增功能的測(cè)試2MH紅軟基地
測(cè)試中遇到的常見(jiàn)問(wèn)題2MH紅軟基地
CDMA校準(zhǔn)介紹2MH紅軟基地
基本概念2MH紅軟基地
 GSM是Global System for Mobile Communication 的縮寫(xiě)。意思是全球移動(dòng)通信系統(tǒng)。分GSM900、DCS1800和PCS1900三個(gè)頻段，一般的所謂的雙頻手機(jī)就是在GSM900和DCS1800頻段切換的手機(jī)。PCS1900則是別的一些國(guó)家使用的頻段(如美國(guó))。 GSM900/1800分別是工作在890~960mhz/1710~1880mhz頻段的。GSM900的手機(jī)最大功率是8W（實(shí)際中移動(dòng)臺(tái)沒(méi)這么大的功率，一般的手機(jī)最大功率是2W，車(chē)載功率大）， 而DCS1800的手機(jī)的最大功率是1W。 2MH紅軟基地
GSM 頻段2MH紅軟基地
GSM9002MH紅軟基地
F(CH) = 890 + (CH-1024)*0.20  CH [955，1023]2MH紅軟基地
F(CH) = 890 + CH*0.20   CH [0，124]2MH紅軟基地
TX/RX Duplex : 45MHz2MH紅軟基地
MS Tx 890 – 914.8 MHz2MH紅軟基地
MS Rx 935 – 959.8 MHz2MH紅軟基地
DCS Frequency Channel2MH紅軟基地
GSM18002MH紅軟基地
F(CH) = 1710.2 + (CH-512)*0.20  CH [512，885]2MH紅軟基地
TX/RX Duplex : 95MHz2MH紅軟基地
 PCS Frequency Channel2MH紅軟基地
GSM19002MH紅軟基地
F(CH) = 1850.2 + (CH-512)*0.20  CH [512，885]2MH紅軟基地
TX/RX Duplex : 80MHz 2MH紅軟基地
網(wǎng)絡(luò)組成－－基站2MH紅軟基地
網(wǎng)絡(luò)組成－－基站控制器2MH紅軟基地
幾個(gè)BTS基站連接一個(gè)BSC， 基站安排信道配置、切換、和BTS連接BSC; 所有的BSC連接至MSC2MH紅軟基地
每個(gè)BTS連結(jié)BSC用abis 接口，是2Mbps的連接。使用microwave link、optical fiber、 co-axial line等方式連接. 2MH紅軟基地
Microwave link 經(jīng)常是最好的連接方式選擇。 2MH紅軟基地
BSC連結(jié)MSC使用的是A口 2MH紅軟基地
在BSC可提供小區(qū)廣播等服務(wù)。 2MH紅軟基地
圖表1 GSM網(wǎng)絡(luò)2MH紅軟基地
網(wǎng)絡(luò)組成－－Mobile Switching Center2MH紅軟基地
 是網(wǎng)絡(luò)的核心，呼叫建立、保持、和釋放；鏈接BSC和PSTN、 認(rèn)證、呼叫轉(zhuǎn)接、短信息、收費(fèi)等。當(dāng)用戶增加到一定數(shù)量時(shí)，可增加MSC；MSC與MSC之間使用GMSC連結(jié)（GATEWAY） 2MH紅軟基地
網(wǎng)絡(luò)組成－－其他2MH紅軟基地
CI----Cell Identity2MH紅軟基地
   小區(qū)身份，網(wǎng)絡(luò)中每個(gè)小區(qū)都有唯一的識(shí)別號(hào)CI，一個(gè)小區(qū)有56個(gè)用戶可同時(shí)通話。2MH紅軟基地
調(diào)制方式2MH紅軟基地
 GSM 采用的是0.3GMSK調(diào)制 高斯最小頻移鍵控，0.3是描述濾波器帶寬和比特率的關(guān)系，不是相位調(diào)制，是一種典型的數(shù)字調(diào)頻調(diào)制，實(shí)際上是調(diào)頻。0和1代表的是載波加減不同的頻率+67.708KHZ 和-67.708KHZ，1被看作是相位增加90度，0被看作是相位在相反方向改變，兩個(gè)頻率表示頻移鍵控; 語(yǔ)音編碼速率時(shí)13kbps. 數(shù)據(jù)速率(調(diào)制速率)BIT傳送速率是270.833Kbps。剛好是四倍于射頻頻移。這樣一來(lái)就有效的減少調(diào)制頻譜和提高了通道利用率.  高斯濾波: 劇烈的頻率變化會(huì)導(dǎo)致頻譜擴(kuò)散， 所以用濾波器進(jìn)行濾波平滑后， 減少頻譜擴(kuò)散;  RF載頻加67.708和減67.708KHZ; 靠頻率轉(zhuǎn)移. 2MH紅軟基地
手機(jī)開(kāi)機(jī)的步驟2MH紅軟基地
手機(jī)主叫過(guò)程2MH紅軟基地
手機(jī)被叫過(guò)程2MH紅軟基地
上行和下行2MH紅軟基地
 上行是手機(jī)通過(guò)上行頻率發(fā)信息給基站，下行是相反。上行和下行組成一對(duì)頻率對(duì)（45MHZ分割），上行滯后下行3個(gè)時(shí)隙；上行和下行使用相同的時(shí)隙號(hào)；上行和下行使用相同的通道號(hào)；上行和下行使用不同的波段。（間隔45MHZ）。 2MH紅軟基地
功率等級(jí)2MH紅軟基地
 由于手機(jī)在小區(qū)內(nèi)移動(dòng)，它的發(fā)射功率要隨著移動(dòng)，當(dāng)他靠近基站時(shí)，防止干擾別的用戶功率要減小，當(dāng)他遠(yuǎn)離基站是為防止衰減要增大發(fā)射功率�？偣灿�19個(gè)功率等級(jí)， 功率等級(jí)存于手機(jī)的EEPROM中. 功率控制的好處是：手機(jī)可以省電、基站減少干擾。 2MH紅軟基地
時(shí)遷－Timing Advance2MH紅軟基地
 Timing advance 就是為了保證信號(hào)能在準(zhǔn)確的時(shí)間內(nèi)到達(dá)BS， 當(dāng)MS移動(dòng)時(shí)， 隨著MS距離BS 的遠(yuǎn)近， 上行傳遞的時(shí)延的可變，基站命令移動(dòng)臺(tái)提前發(fā)送。 由BS在SACCH信道上命令MS來(lái)改變它的遷時(shí)的大小. 手機(jī)在空閑模式時(shí)接收機(jī)站和解碼BCH，在BCH中的SCH允許手機(jī)調(diào)整它的內(nèi)部時(shí)間，當(dāng)手機(jī)接收到SCH時(shí)不知道距離基站多遠(yuǎn)，通過(guò)SACH特殊的 短突發(fā)。當(dāng)手機(jī)在下行的SACCH上獲得遷時(shí)信息，才發(fā)送正常的突發(fā)，30KM 手機(jī)設(shè)置遲延100US. 2MH紅軟基地
信道介紹2MH紅軟基地
BCH廣播信道2MH紅軟基地
CCCH專(zhuān)用控制信道2MH紅軟基地
DCCH專(zhuān)用控制信道2MH紅軟基地
TCH業(yè)務(wù)信道2MH紅軟基地
RACH隨機(jī)接入信道2MH紅軟基地
其他2MH紅軟基地
IMEI：international mobile equipment identity國(guó)際移動(dòng)設(shè)備識(shí)別號(hào)。2MH紅軟基地
小區(qū)接入技術(shù)FDMA TDMA CDMA2MH紅軟基地
Timeslot  1timeslot＝576.92us，1frame=8timeslots2MH紅軟基地
跳頻2MH紅軟基地
基本儀器簡(jiǎn)介2MH紅軟基地
電源2MH紅軟基地
信號(hào)發(fā)生器2MH紅軟基地
頻譜分析儀2MH紅軟基地
萬(wàn)用表2MH紅軟基地
示波器2MH紅軟基地
綜合測(cè)試儀2MH紅軟基地
其他2MH紅軟基地
電源（Power supply）2MH紅軟基地
Keithley2304，23062MH紅軟基地
Agilent 66311B2MH紅軟基地
信號(hào)發(fā)生器（Signal Generator）2MH紅軟基地
Agilent4432B2MH紅軟基地
Anritsu MG3681A2MH紅軟基地
R&S2MH紅軟基地
頻譜分析儀（spectrum analyzer）2MH紅軟基地
Agilent4405B2MH紅軟基地
Advantest R32672MH紅軟基地
R&S2MH紅軟基地
萬(wàn)用表和示波器2MH紅軟基地
綜合測(cè)試儀2MH紅軟基地
Agilent89602MH紅軟基地
Anritsu MT8820A2MH紅軟基地
R&S CMU2MH紅軟基地
其他儀器2MH紅軟基地
測(cè)試流程2MH紅軟基地
 以上海某公司的一款手機(jī)為例，介紹一下手機(jī)由設(shè)計(jì)到上市的過(guò)程，其中以生產(chǎn)為重點(diǎn)介紹。2MH紅軟基地
研發(fā)階段的測(cè)試2MH紅軟基地
測(cè)試跟研發(fā)是并行的2MH紅軟基地
根據(jù)產(chǎn)品提出測(cè)試方案2MH紅軟基地
編寫(xiě)測(cè)試程序2MH紅軟基地
根據(jù)需要修改測(cè)試程序2MH紅軟基地
保證程序的穩(wěn)定性和可靠性2MH紅軟基地
生產(chǎn)階段的測(cè)試2MH紅軟基地
SN2MH紅軟基地
人機(jī)接口測(cè)試2MH紅軟基地
連線及測(cè)試方法2MH紅軟基地
設(shè)備連線圖2MH紅軟基地
不同工位的需求2MH紅軟基地
不同設(shè)備的連線圖2MH紅軟基地
不同產(chǎn)品的連線圖2MH紅軟基地
手機(jī)測(cè)試連線圖－綜測(cè)儀2MH紅軟基地
手機(jī)測(cè)試連線圖－SG&SA2MH紅軟基地
其他測(cè)試連線12MH紅軟基地
其他測(cè)試連線22MH紅軟基地
測(cè)試項(xiàng)解釋和測(cè)量方法2MH紅軟基地
 目前GSM的平臺(tái)有很多，但校準(zhǔn)和終測(cè)的方法大體相同，其基本理念都是一樣的，下面以兩款平臺(tái)介紹一下校準(zhǔn)和終測(cè)的方法和步驟。2MH紅軟基地
校準(zhǔn)終測(cè)的目的2MH紅軟基地
電池校準(zhǔn)2MH紅軟基地
發(fā)射機(jī)校準(zhǔn)2MH紅軟基地
手機(jī)發(fā)射部分原理框圖2MH紅軟基地
發(fā)射信號(hào)2MH紅軟基地
發(fā)射信號(hào)（部分）2MH紅軟基地
所用公式2MH紅軟基地
測(cè)試步驟2MH紅軟基地
方法二：逐次逼近法2MH紅軟基地
將手機(jī)儀器都設(shè)置在Test Mode 2MH紅軟基地
設(shè)置儀器一個(gè)合適的信道，發(fā)送PTE指令控制手機(jī)處于連續(xù)發(fā)射狀態(tài)，信道與儀器對(duì)應(yīng).2MH紅軟基地
寫(xiě)入該功率級(jí)的默認(rèn)值，調(diào)整默認(rèn)值（或加或減）使手機(jī)的發(fā)射功率達(dá)到期望值，將此數(shù)據(jù)換算的Ramp值存入手機(jī)，對(duì)該信道的各個(gè)功率級(jí)都進(jìn)行這樣計(jì)算、存值。 2MH紅軟基地
接收機(jī)校準(zhǔn)2MH紅軟基地
手機(jī)接收部分框圖－平臺(tái)12MH紅軟基地
設(shè)置工作點(diǎn)2MH紅軟基地
主要的目的是尋找CSP中ADC處信號(hào)電平在-20dBfs時(shí)且通道增益已定義的情況下的Cellpower。2MH紅軟基地
設(shè)置手機(jī)放大器狀態(tài)RxGainA = 0，RxGainB = 202 2MH紅軟基地
選擇一個(gè)任意的測(cè)試信道  2MH紅軟基地
執(zhí)行ReadRSS命令2MH紅軟基地
讀到的結(jié)果換算成dbfs: 10 log ((Reading1 + Reading2 + Reading3 + Reading4) / (4 * 32767)) 2MH紅軟基地
測(cè)試邊帶信道 2MH紅軟基地
Rx基本通道增益補(bǔ)償（LNA開(kāi)啟）2MH紅軟基地
1設(shè)置手機(jī)信道channel=62，根據(jù)上步得到：2MH紅軟基地
2當(dāng)RxGainB=202時(shí)，信號(hào)發(fā)生器的信號(hào)電平為-54.52MH紅軟基地
3設(shè)置手機(jī)RxGainB=162時(shí)，提高信號(hào)發(fā)生器的電平到-49.5。2MH紅軟基地
4讀取結(jié)果并換算成dbfs(mean)，根據(jù)Setworkingpoint的方法，調(diào)整到-20dbfs左右。2MH紅軟基地
5取出上面的頻段補(bǔ)償2MH紅軟基地
6根據(jù)公式計(jì)算基本通道增益*16保存：2MH紅軟基地
Basic Rx Path Gain=mean-信號(hào)發(fā)生器的電平-基帶部分開(kāi)關(guān)增益-頻段補(bǔ)償2MH紅軟基地
7重復(fù)以上操作，將BB_Gain設(shè)為-2，26，40，54等計(jì)算結(jié)果與12db的值的差值*16取整。2MH紅軟基地
Rx基本通道增益補(bǔ)償（LNA關(guān)閉）2MH紅軟基地
1設(shè)置手機(jī)信道channel=62，根據(jù)上步得到：2MH紅軟基地
2當(dāng)RxGainB=322時(shí)，（RxGainA=0;RxGainB=1536+322，此RG0 and RG1為1，使LNA完全關(guān)閉）根據(jù)Setworkingpoint的方法，調(diào)整到-20dbfs左右。此時(shí)信號(hào)發(fā)生器的電平為-39.86dbm。（mean=-20.0566）2MH紅軟基地
3取出上面的頻段補(bǔ)償2MH紅軟基地
4由于BB_Gain=52db，在46和62之間，因此其基帶功率補(bǔ)償為13/16=0.8125。2MH紅軟基地
5根據(jù)公式計(jì)算基本通道增益*16保存(-994:FC1E)：2MH紅軟基地
Basic Rx Path Gain=mean-信號(hào)發(fā)生器的電平-基帶部分開(kāi)關(guān)增益-頻段補(bǔ)償2MH紅軟基地
分兩部分保存，寫(xiě)入手機(jī)。2MH紅軟基地
DC偏移量校準(zhǔn)2MH紅軟基地
1開(kāi)啟DCOffset外部校準(zhǔn)（發(fā)送一個(gè)命令）2MH紅軟基地
2設(shè)置信道539，BB_Gain=62db（RxGainA=0，RxGainB=362），LNA=ON2MH紅軟基地
3設(shè)置適當(dāng)?shù)某跏贾怠＃⊿etDCROffset）2MH紅軟基地
4ReadRSS，并換算成dbfs.判斷是否小于-30。2MH紅軟基地
從DSP讀取測(cè)試值2MH紅軟基地
4eaf ==20143 AND 1FFF(8191)->EAF==37592MH紅軟基地
08bb==2235---------------------------------==22352MH紅軟基地
讀取4組求平均值2MH紅軟基地
重復(fù)上步驟在其他信道獲取7組值（539，593，648，702，755，809，860）存入手機(jī)。2MH紅軟基地
手機(jī)接收部分框圖－平臺(tái)22MH紅軟基地
接收?qǐng)D說(shuō)明2MH紅軟基地
前置低噪放大器，打開(kāi)時(shí)EGSM和GSM850有15dB的增益，DCS和PCS有13dB;關(guān)閉時(shí)EGSM和GSM850為0dB， DCS和PCS有8dB，可控； 2MH紅軟基地
低通濾波器，規(guī)格375k，3dB;PGA，0-16dB，步長(zhǎng)4dB； 2MH紅軟基地
AGAIN，有117dB的增益，可調(diào)；（模擬補(bǔ)償） 2MH紅軟基地
DGAIN，0-63dB的增益，步長(zhǎng)1dB，可調(diào)；（數(shù)字補(bǔ)償） 2MH紅軟基地
晶振部分，要求調(diào)整一個(gè)6bit的CDAC值和一個(gè)12bit的AFC值 2MH紅軟基地
振蕩器校準(zhǔn)－13M頻率校準(zhǔn)2MH紅軟基地
設(shè)置經(jīng)驗(yàn)值。2MH紅軟基地
設(shè)置手機(jī)連續(xù)發(fā)射2MH紅軟基地
設(shè)置手機(jī)主振蕩器的頻率偏置（CDAC）2MH紅軟基地
設(shè)置儀器的band和信道跟手機(jī)一置。2MH紅軟基地
讀取頻率誤差2MH紅軟基地
正確：保存CDAC，錯(cuò)誤：保存CDAC＋FreqErr、1000。2MH紅軟基地
振蕩器校準(zhǔn)－控制頻率的數(shù)模轉(zhuǎn)換器校準(zhǔn)2MH紅軟基地
設(shè)置手機(jī)連續(xù)發(fā)射2MH紅軟基地
設(shè)置儀器的band和信道跟手機(jī)一置。2MH紅軟基地
讀取頻率誤差2MH紅軟基地
測(cè)量?jī)牲c(diǎn)，計(jì)算斜率，保存2MH紅軟基地
終測(cè)測(cè)試項(xiàng)2MH紅軟基地
測(cè)試方法在CMU中一起介紹2MH紅軟基地
測(cè)試項(xiàng)概括2MH紅軟基地
Tx 發(fā)射2MH紅軟基地
Rx 接收2MH紅軟基地
Rx 接收2MH紅軟基地
國(guó)內(nèi)GSM手機(jī)進(jìn)網(wǎng)檢測(cè)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)2MH紅軟基地
發(fā)射機(jī)2MH紅軟基地
相位誤差和頻率誤差2MH紅軟基地
多徑與干擾條件下的頻率誤差2MH紅軟基地
發(fā)射機(jī)載頻峰值功率與突發(fā)脈沖定時(shí)2MH紅軟基地
輸出射頻頻譜2MH紅軟基地
CMU使用介紹2MH紅軟基地
參見(jiàn)另外文檔2MH紅軟基地
新增功能的測(cè)試2MH紅軟基地
藍(lán)牙2MH紅軟基地
GPS2MH紅軟基地
MP32MH紅軟基地
FM2MH紅軟基地
測(cè)試中遇到的常見(jiàn)問(wèn)題2MH紅軟基地
關(guān)機(jī)電流不正常：有短路存在2MH紅軟基地
開(kāi)機(jī)電流不正常：虛焊等問(wèn)題2MH紅軟基地
Call不上：電路焊接有問(wèn)題，檢查射頻線2MH紅軟基地
終測(cè)失�。簷z查是否校準(zhǔn)2MH紅軟基地
CDMA 校準(zhǔn)方法2MH紅軟基地
For radioOne chipset2MH紅軟基地
以6系列芯片為例2MH紅軟基地
目錄2MH紅軟基地
什么是RF校準(zhǔn)2MH紅軟基地
相關(guān)用語(yǔ)2MH紅軟基地
準(zhǔn)備工作2MH紅軟基地
RX校準(zhǔn)2MH紅軟基地
DVGA offset校準(zhǔn)2MH紅軟基地
LNA range offset校準(zhǔn)2MH紅軟基地
IM22MH紅軟基地
頻率相關(guān)校準(zhǔn)2MH紅軟基地
TX校準(zhǔn)2MH紅軟基地
Tx linearizer Curve2MH紅軟基地
Rise Fall value2MH紅軟基地
頻率和溫度關(guān)系的校準(zhǔn)2MH紅軟基地
Max limit power和HDET2MH紅軟基地
其他2MH紅軟基地
RF校準(zhǔn)2MH紅軟基地
相關(guān)用語(yǔ)2MH紅軟基地
AGC:Automatic Gain Control自動(dòng)增益控制2MH紅軟基地
DMSS: Dual Mode Subscriber Software2MH紅軟基地
LNA Low Noise Amplifier低噪聲放大器2MH紅軟基地
NV Non-Volatile2MH紅軟基地
PDM Pulse Density Modulation2MH紅軟基地
IF Intermediate Frequency2MH紅軟基地
準(zhǔn)備工作2MH紅軟基地
頻率信道的選擇2MH紅軟基地
RX框圖2MH紅軟基地
NV_CDMA_VGA_OFFSET2MH紅軟基地
設(shè)置信號(hào)發(fā)生器發(fā)出NV_CDMA_LNA_FALL(-92.2db)2MH紅軟基地
執(zhí)行GET_DVGA_OFFSET命令，保存結(jié)果2MH紅軟基地
NV_LNA_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
設(shè)置信號(hào)發(fā)生器為NV_CDMA_LNA_RISE（-88.2）和NV_CDMA_LNA_FALL（-92.2）中間值-90.2，執(zhí)行GET_LNA_OFFSET命令，保存結(jié)果2MH紅軟基地
設(shè)置信號(hào)發(fā)生器為NV_CDMA_LNA_2_RISE（-78.2）和NV_CDMA_LNA_2_FALL（-82.2）中間值-80.2，執(zhí)行GET_LNA_OFFSET命令，保存結(jié)果2MH紅軟基地
設(shè)置信號(hào)發(fā)生器為NV_CDMA_LNA_3_RISE（-59）和NV_CDMA_LNA_3_FALL（-63）中間值-90.2，執(zhí)行GET_LNA_OFFSET命令，保存結(jié)果2MH紅軟基地
設(shè)置信號(hào)發(fā)生器為NV_CDMA_LNA_4_RISE（-45.8）和NV_CDMA_LNA_4_FALL（-49.8）中間值-47.8，執(zhí)行GET_LNA_OFFSET命令，保存結(jié)果2MH紅軟基地
NV_LNA_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
上面結(jié)果依次得到的是：2MH紅軟基地
NV_LNA_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
NV_LNA_RANGE_12_OFFSET2MH紅軟基地
NV_LNA_RANGE_3_OFFSET2MH紅軟基地
NV_LNA_RANGE_4_OFFSET2MH紅軟基地
IM2 校準(zhǔn)2MH紅軟基地
設(shè)置信號(hào)發(fā)生器發(fā)生一個(gè)AM信號(hào)含適當(dāng)?shù)南辔辉肼�，相位噪聲�?MHz偏移處應(yīng)小于-140dbc/Hz.2MH紅軟基地
設(shè)置LNA為最大增益處，執(zhí)行GET_CDMA_IM2，等待幾秒鐘，記錄結(jié)果。2MH紅軟基地
Rx的頻率補(bǔ)償校準(zhǔn)12MH紅軟基地
NV_CDMA_VGA_GAIN_OFFSET_VS_FREQ2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_OFFSET_VS_FREQ2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_12_OFFSET_VS_FREQ2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_3_OFFSET_VS_FREQ2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_4_OFFSET_VS_FREQ2MH紅軟基地
Rx的頻率補(bǔ)償校準(zhǔn)22MH紅軟基地
1.切換頻率根據(jù)信道表2MH紅軟基地
2.確保跟頻率相關(guān)的各項(xiàng)NV已經(jīng)清02MH紅軟基地
3.在各個(gè)信道做所有的Rx校準(zhǔn)（除了IM2）2MH紅軟基地
Rx的頻率補(bǔ)償校準(zhǔn)32MH紅軟基地
NV_CDMA_VGA_GAIN_OFFSET_VS_FREQ[i]=2MH紅軟基地
(VgaOffsetVsFreq[i]-NV_CDMA_VGA_OFFSET)/122MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_OFFSET_VS_FREQ[i]=2MH紅軟基地
LnaOffsetVsFreq[i]-NV_LNA_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_12_OFFSET_VS_FREQ[i]=2MH紅軟基地
Lna12OffsetVsFreq[i]-NV_LNA_12_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_3_OFFSET_VS_FREQ[i]=2MH紅軟基地
Lna3OffsetVsFreq[i]-NV_LNA_3_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
NV_CDMA_LNA_4_OFFSET_VS_FREQ[i]=2MH紅軟基地
Lna4OffsetVsFreq[i]-NV_LNA_4_RANGE_OFFSET2MH紅軟基地
Tx框圖2MH紅軟基地
Tx校準(zhǔn)2MH紅軟基地
Tx AGC用模擬功放控制輸出功率2MH紅軟基地
校準(zhǔn)發(fā)射增益和控制電壓（PDM）之間的關(guān)系2MH紅軟基地
DMSS60XX和61XX支持102.4dB的動(dòng)態(tài)范圍2MH紅軟基地
校準(zhǔn)37功率等級(jí)2MH紅軟基地
Tx校準(zhǔn)項(xiàng)2MH紅軟基地
PA支持4個(gè)狀態(tài)，每種狀態(tài)包含自己的線性關(guān)系2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER02MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER12MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER22MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER32MH紅軟基地
每個(gè)NV_CDMA_TX_LIN_MASTERx包含37個(gè)數(shù)據(jù)2MH紅軟基地
CDMA_LIN_MASTER_OFF_0是第一個(gè)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)在48.4dBm的PDM值2MH紅軟基地
CDMA_TX_LIN_MASTER_SLP是各個(gè)功率等級(jí)的PDM的差值2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER02MH紅軟基地
繼續(xù)Rx的測(cè)試，不需要重新啟動(dòng)，確保在FTM模式2MH紅軟基地
切換信道在基準(zhǔn)信道2MH紅軟基地
打開(kāi)Tx發(fā)射，設(shè)置PA的狀態(tài)（R0＝0，R1＝0）2MH紅軟基地
用SET_PDM調(diào)節(jié)Tx_AGC_ADJ PDM接近功率點(diǎn)（48.4，45.2，42，……-63.6，-66.8）2MH紅軟基地
調(diào)節(jié)-60<point<26的點(diǎn)，其余的用線性公式推算出來(lái)2MH紅軟基地
計(jì)算2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER_OFF_0=TX_AGC_ADJ[0]2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER_SLP[n]=TX_AGC_ADJ[n+1]-TX_AGC_ADJ[n]2MH紅軟基地
功率等級(jí)2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER1－32MH紅軟基地
用SET_PA_RANGE命令，設(shè)置PA的狀態(tài)2MH紅軟基地
用相同的方法校準(zhǔn)其他PA的狀態(tài)2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIN_MASTER1232MH紅軟基地
很多PA只支持2個(gè)功率等級(jí)2MH紅軟基地
速度更快的方法2MH紅軟基地
設(shè)置TX_AGC_ADJ從100 到450，步長(zhǎng)為102MH紅軟基地
校準(zhǔn)PA_RISE/FALL2MH紅軟基地
校準(zhǔn)PA的特性2MH紅軟基地
NV_R1_RISE=2.5*(PA_RISE+60)2MH紅軟基地
如果PA只有兩種狀態(tài)，則NV_R2_RISE/FALL，NV_R3_RISE/FALL設(shè)置為2552MH紅軟基地
一般設(shè)置NV_R1_RISE/FALL分別為185和175，表示RISE和FALL的范圍為14dbm和10dbm2MH紅軟基地
發(fā)射的頻率校準(zhǔn)2MH紅軟基地
確保跟頻率相關(guān)的NV項(xiàng)清零2MH紅軟基地
設(shè)置PA為最小增益狀態(tài)2MH紅軟基地
設(shè)置TX_AGC_ADJ使輸出功率為一值（如0dbm）2MH紅軟基地
保持TX_AGC_ADJ不變，改變信道，讀取功率值2MH紅軟基地
CDMA_TX_COMP_VS_FREQ[i]=(Power[i]-TxPowerAtReferenceChannel)*10，此為T(mén)X_COMP02MH紅軟基地
用相似的方法校準(zhǔn)TX_COMP1，2，32MH紅軟基地
發(fā)射的溫度校準(zhǔn)2MH紅軟基地
NV_THERM[0]對(duì)應(yīng)60度2MH紅軟基地
NV_THERM[1]對(duì)應(yīng)-30度2MH紅軟基地
改變環(huán)境溫度接近2MH紅軟基地
 NV_THERM[0]+(NV_THERM[1]-NV_THERM[0])*(0.5+n)/72MH紅軟基地
(n為0-7)2MH紅軟基地
計(jì)算方法2MH紅軟基地
CDMA_TX_LIN_MASTER_OFF_0=CdmaTxLinMasterOff02MH紅軟基地
ΣCDMA_TX_LIN_MASTER_SLP[i]=CdmaTxLinMasterSlp2MH紅軟基地
CDMA_TX_LIN_MASTER_OFF_0[n]=CdmaTxLinMasterOff0[n]2MH紅軟基地
ΣCDMA_TX_LIN_MASTER_SLP[i][n]=CdmaTxLinMasterSlp[n]2MH紅軟基地
CDMA_TX_LIN_VS_TEMP[n]=CdmaTxLinMasterOff0[n]-CdmaTxLinMasterOff02MH紅軟基地
CDMA_TX_SLP_VS_TEMP[n]=CdmaTxLinMasterSlp[n]-CdmaTxLinMasterSlp2MH紅軟基地
發(fā)射的最大功率和溫度的關(guān)系2MH紅軟基地
NV_CDMA_LIM_VS_TEMP2MH紅軟基地
NV_CDMA_LIM_VS_TEMP=10*(DesiredPowerLimit＋60.3)-7682MH紅軟基地
DesiredPowerLimit＝24dBm，因此NV_CDMA_LIM_VS_TEMP為752MH紅軟基地
HDET相關(guān)的NV(1)2MH紅軟基地
HDET電路提供更精確的功率在大功率狀態(tài)下2MH紅軟基地
CDMA_TX_LIM_VS_FREQ2MH紅軟基地
設(shè)置到基準(zhǔn)信道2MH紅軟基地
設(shè)置PA為高功率狀態(tài)2MH紅軟基地
改變TX_AGC_ADJ使輸出功率為一個(gè)精確值，如19.6或22.8，此輸出功率為PowerRef2MH紅軟基地
讀取HDET值2MH紅軟基地
改變信道測(cè)量功率Power[i]2MH紅軟基地
NV_CDMA_TX_LIM_VS_FREQ[i]=(PowerRef-Power[i])*102MH紅軟基地
HDET相關(guān)的NV(2)2MH紅軟基地
CDMA_EXP_HDET_VS_AGC2MH紅軟基地
設(shè)置頻率為基準(zhǔn)信道2MH紅軟基地
設(shè)置PA為高功率狀態(tài)2MH紅軟基地
設(shè)置TX_AGC_ADJ使輸出功率從16.4到42dbm以步長(zhǎng)為1.62MH紅軟基地
讀取HDET，保存起來(lái)2MH紅軟基地
HDET_OFF2MH紅軟基地
發(fā)射功率在18dbm的時(shí)候的HDET2MH紅軟基地
HDET_SPN2MH紅軟基地
發(fā)射功率在26dbm時(shí)的HDET值－HDET_OFF2MH紅軟基地
其他2MH紅軟基地
NV_BATT[1:0]2MH紅軟基地
設(shè)置電壓為低電壓3.2，讀取ADC值2MH紅軟基地
設(shè)置電壓為高電壓4.2，讀取ADC值2MH紅軟基地
保存2MH紅軟基地
謝謝大家2MH紅軟基地

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