這是晶體管放大電路ppt，包括了半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性，半導(dǎo)體二極管，半導(dǎo)體三極管，基本放大電路及其分析方法，共射極放大電路的靜態(tài)分析，共射極放大電路的動(dòng)態(tài)分析，靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路，多級(jí)放大電路，運(yùn)算放大器，負(fù)反饋放大電路，功率放大器等內(nèi)容，歡迎點(diǎn)擊下載。

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第 10.1 章 半導(dǎo)體二極管和三極管 10.1.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 1 本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 用得最多的半導(dǎo)體是硅或鍺，它們都是四價(jià)元素。將硅或鍺材料提純并形成單晶體后，便形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。在獲得一定能量(熱、光等)后，少量價(jià)電子即可掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子，同時(shí)在共價(jià)鍵中就留下一個(gè)空位，稱為空穴。自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，同時(shí)又不斷復(fù)合。 在外電場(chǎng)的作用下，自由電子逆著電場(chǎng)方向定向運(yùn)動(dòng)形成電子電流。帶正電的空穴吸引相鄰原子中的價(jià)電子來填補(bǔ)，而在該原子的共價(jià)鍵中產(chǎn)生另一個(gè)空穴�？昭ū惶钛a(bǔ)和相繼產(chǎn)生的現(xiàn)象，可以看成空穴順著電場(chǎng)方向移動(dòng)，形成空穴電流。 　可見在半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子，它們都能參與導(dǎo)電。 2 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體中由于載流子數(shù)量極少，導(dǎo)電能力很低。如果在其中參入微量的雜質(zhì)(某種元素)將使其導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)。 1）. N 型半導(dǎo)體 　在硅或鍺的晶體中摻入五價(jià)元素磷，當(dāng)某一個(gè)硅原子被磷原子取代時(shí)，磷原子的五個(gè)價(jià)電子中只有四個(gè)用于組成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)很容易掙脫磷原子核的束縛而成為自由電子。因而自由電子的數(shù)量大大增加，是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱為 N 型半導(dǎo)體。LFY紅軟基地

薄膜晶體管ppt：這是薄膜晶體管ppt，包括了多晶硅薄膜晶體管，氧化物薄膜晶體管，有機(jī)薄膜晶體管，化合物薄膜晶體管等內(nèi)容，歡迎點(diǎn)擊下載。

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晶體管的開關(guān)作用PPT：這是一個(gè)關(guān)于晶體管的開關(guān)作用PPT，包括了晶體二極管開關(guān)特性，二極管限幅器及鉗位器，晶體管開關(guān)特性，晶體三極管反相器等內(nèi)容。PN結(jié)正偏時(shí)，在外電壓作用下，PN結(jié)兩端多數(shù)載流子不斷向?qū)Ψ綌U(kuò)散，P區(qū)的空穴擴(kuò)散到N區(qū)，N區(qū)的電子擴(kuò)散到P區(qū)。P區(qū)存有大量電子，N區(qū)存有大量空穴。P區(qū)積累的大量電子被反向電場(chǎng)拉回到N區(qū)，N區(qū)積累的大量空穴被反向電場(chǎng)拉回到P區(qū)。形成電子、空穴漂移電流，這兩個(gè)漂移電流就構(gòu)成了反向電流 i R = -VR/RL 。反向電流 i R 使存儲(chǔ)電荷逐漸消失,靠近空間電荷區(qū)的存儲(chǔ)電荷消失的比較快,當(dāng)空間電荷區(qū)的邊界處沒有存儲(chǔ)電荷時(shí),二極管由正偏轉(zhuǎn)向反偏。存儲(chǔ)時(shí)間結(jié)束，歡迎點(diǎn)擊下載晶體管的開關(guān)作用PPT。