HSPICE 2010簡體中文版是一款由Synopsys公司推出的專業(yè)EDA設(shè)計工具，主要適用于一些電路設(shè)計工程師使用，它為使用者提供了豐富實用的EDA設(shè)計工具，并可以與其它專業(yè)軟件兼容，比如Cadence，Workview等。該軟件可以大大地提高電路仿真的精準(zhǔn)度，這個是較為經(jīng)典的一個版本，需要此款工具的朋友們歡迎前來下載使用。zGt紅軟基地

軟件功能

HSPICE 可與許多主要的EDA 設(shè)計工具，諸如Cadence，Workview 等兼容，能提供許多重要的針對集成電路性能的電路仿真和設(shè)計結(jié)果。采用HSPICE 軟件可以在直流到高于100MHz 的微波頻率范圍內(nèi)對電路作精確的仿真、分析和優(yōu)化。在實際應(yīng)用中， HSPICE能提供關(guān)鍵性的電路模擬和設(shè)計方案，并且應(yīng)用HSPICE進(jìn)行電路模擬時，其電路規(guī)模僅取決于用戶計算機(jī)的實際存儲器容量。zGt紅軟基地

軟件特色

- 準(zhǔn)確度 zGt紅軟基地
金標(biāo)準(zhǔn)精確的電路仿真。 zGt紅軟基地
粗放型的支持最準(zhǔn)確，最廣闊的一套行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有的仿真模型。 zGt紅軟基地
- 性能 zGt紅軟基地
HSPICE剛剛得到更快了! Synopsys公司取得了HSPICE一個性能領(lǐng)先的單人和多核計算機(jī)上 zGt紅軟基地
顯著加速細(xì)胞特性的應(yīng)用，大型提取的網(wǎng)表，信號完整性和65 nm設(shè)計。 zGt紅軟基地
- 設(shè)計產(chǎn)量 - 過程變化和設(shè)備可靠性仿真 zGt紅軟基地
流程和互連變異 - 型號器件和互連線的變化 zGt紅軟基地
變化塊 - 強大而靈活的機(jī)制來定義工藝變化的影響。 zGt紅軟基地
AC&DCMatch - 本地參數(shù)不匹配影響效率的統(tǒng)計模擬。 zGt紅軟基地
“智能”蒙地卡羅 - 即運行速度比傳統(tǒng)蒙特卡羅技術(shù)快好幾倍的通用統(tǒng)計模擬。 zGt紅軟基地
MOSRA器件的可靠性分析 - 仿真HCI和NBTI設(shè)備老化影響 zGt紅軟基地
- 董事會和包裝設(shè)計完整性分析 zGt紅軟基地
增強型W-元素和S參數(shù)模擬信號完整性問題和支持SI分析。 zGt紅軟基地
支持大規(guī)模的500端口S參數(shù) zGt紅軟基地
- 射頻和高速仿真 zGt紅軟基地
最佳的RF模擬器PLL和VCO應(yīng)用 zGt紅軟基地
最精確的射頻仿真器 zGt紅軟基地
最快的射頻仿真器 zGt紅軟基地
高容量的射頻仿真，10000+晶體管既諧波平衡和射擊牛頓算法 zGt紅軟基地
全面的解決方案模擬低噪聲放大器，功率放大器，濾波器，AGC電路中，振蕩器，混頻器，乘法器，調(diào)制器，解調(diào)器，和壓控振蕩器。zGt紅軟基地

使用說明

Hspice是一個模擬電路仿真軟件，在給定電路結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的條件下，它可以模擬和 zGt紅軟基地
計算電路的各種性能。用Hspice分析一個電路，首先要做到以下三點： zGt紅軟基地
(1) 給定電路的結(jié)構(gòu)(也就是電路連接關(guān)系)和元器件參數(shù)(指定元器件的參數(shù)庫); zGt紅軟基地
(2) 確定分析電路特性所需的分析內(nèi)容和分析類型(也就是加入激勵源和設(shè)置分析類型); zGt紅軟基地
(3) 定義電路的輸出信息和變量。 zGt紅軟基地
Hspice規(guī)定了一系列輸入，輸出語句，用這些語句對電路仿真的標(biāo)題，電路連接方式，組成電路元器件的名稱，參數(shù)，模型，以及分析類型，以及輸出變量等進(jìn)行描述。 zGt紅軟基地
一 Hspice輸入文件的語句和格式 zGt紅軟基地
Hspice輸入文件包括電路標(biāo)題語句，電路描述語句，分析類型描述語句，輸出描述語句，注釋語句，結(jié)束語句等六部分構(gòu)成，以下逐一介紹： zGt紅軟基地
1 電路的標(biāo)題語句 zGt紅軟基地
電路的標(biāo)題語句是輸入文件的第一行，也成為標(biāo)題行，必須設(shè)置。它是由任意字母和字符串組成的說明語句，它在Hspice的title框中顯示。 zGt紅軟基地
2 電路描述語句 zGt紅軟基地
電路描述語句由定義電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的元器件描述語句，模型描述語句和電源語句等組成，其位置可以在標(biāo)題語句和結(jié)束語句之間的任何地方。 zGt紅軟基地
(1) 電路元器件 zGt紅軟基地
Hspice 要求電路元器件名稱必須以規(guī)定的字母開頭，其后可以是任意數(shù)字或字母。除了名稱之外，還應(yīng)指定該元器件所接節(jié)點編號和元件值。 zGt紅軟基地
電阻，電容，電感等無源元件描述方式如下： zGt紅軟基地
R1 1 2 10k (表示節(jié)點1 與2 間有電阻R1，阻值為10k 歐) zGt紅軟基地
C1 1 2 1pf (表示節(jié)點1 與2 間有電容C1，電容值為1pf) zGt紅軟基地
L1 1 2 1mh (表示節(jié)點1 與2 間有電感L1，電感值為1mh) zGt紅軟基地
半導(dǎo)體器件包括二極管，雙極性晶體管，結(jié)形場效應(yīng)晶體管，MOS 場效應(yīng)晶體管等，這些半導(dǎo)體器件的特性方程通常是非線性的，故也成為非線性有源元件。在電路CAD工具進(jìn)行電路仿真時，需要用等效的數(shù)學(xué)模型來描述這些器件。 zGt紅軟基地
(a) 二極管描述語句如下： zGt紅軟基地
DXXXX N+ N- MNAME zGt紅軟基地
D 為元件名稱，N+和N-分別為二極管的正負(fù)節(jié)點，MNAME 是模型名 ，后面為可選項： zGt紅軟基地
AREA 是面積因子，OFF時直流分析所加的初始條件，IC=VD 時瞬態(tài)分析的初始條件。 zGt紅軟基地
(b)雙極型晶體管 zGt紅軟基地
QXXXX NC NB NE MNAME zGt紅軟基地
Q 為元件名稱，NC NB NE 分別是集電極，基極，發(fā)射極和襯底的節(jié)點。缺省時，NS 結(jié)地。后面可選項與二極管的意義相同。 zGt紅軟基地
(c)結(jié)型場效應(yīng)晶體管 zGt紅軟基地
JXXXX ND NG NS MNAME zGt紅軟基地
J為元件名稱，ND NG NS為漏，柵，源的節(jié)點，MNAME 是模型名 ，后面為可選項與二極管的意義相同。 zGt紅軟基地
(d)MOS 場效應(yīng)晶體管 zGt紅軟基地
MXXXX ND NG NS NB MNAME zGt紅軟基地
M為元件名稱，ND，NG，NS，NB 分別是漏，柵，源和襯底節(jié)點。MNAME 是模型名，L溝道長，M為溝道寬。 zGt紅軟基地
(2) 元器件模型 zGt紅軟基地
許多元器件都需用模型語句來定義其參數(shù)值。模型語句不同于元器件描述語句，它是以“.”開頭的點語句，由關(guān)鍵字.MODEL，模型名稱，模型類型和一組參數(shù)組成。 電阻，電容，二極管，MOS 管，雙極管都可設(shè)置模型語句。這里我們僅介紹MOS 管的模型語句， zGt紅軟基地
其他的可參考Hspice幫助手冊。 zGt紅軟基地
MOS 場效應(yīng)晶體管模型 zGt紅軟基地
MOS 場效應(yīng)晶體管是集成電路中常用的器件，在Hspice 有20 余種模型，模型參數(shù)有40――60 個，大多是工藝參數(shù)。例如一種MOS 模型如下： zGt紅軟基地
.MODEL NSS NMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.1E-6 XJ=.14E-6 zGt紅軟基地
+ CJ="1".6E-4 CJSW="1".8E-10 UO="550" VTO="1".022 CGSO="1".3E-10 zGt紅軟基地
+ CGDO="1".3E-10 NSUB="4E15" NFS="1E10" zGt紅軟基地
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 THETA=.06 KAPPA=.4 ETA=.14 zGt紅軟基地
.MODEL PSS PMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.3E-6 XJ=.42E-6 zGt紅軟基地
+ CJ="7".7E-4 CJSW="5".4E-10 UO="180" VTO="-1".046 CGSO="4E-10" zGt紅軟基地
+ CGDO="4E-10" TPG="-1" NSUB="7E15" NFS="1E10" zGt紅軟基地
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 ETA=.06 THETA=.03 KAPPA=.4 zGt紅軟基地
上面：.MODEL為模型定義關(guān)鍵字. zGt紅軟基地
NSS 為模型名，NMOS為模型類型，LEVEL=3 表示半經(jīng)驗短溝道模型，后面RSH=0 zGt紅軟基地
等等為工藝參數(shù)。 zGt紅軟基地
(3) 電路的輸入激勵和源 zGt紅軟基地
Hspice中的激勵源分為獨立源和受控源兩種，這里我們僅簡單介紹獨立源。獨立源有獨立電壓源和獨立電流源兩種，分別用V 和I 表示。他們又分為直流源，交流小信號源和瞬態(tài)源，可以組合在一起使用。 zGt紅軟基地
(a)直流源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- DC VALUE zGt紅軟基地
IXXXX N+ N- DC VALUE zGt紅軟基地
例如：VCC 1 0 DC 5v (表示節(jié)點1，0 間加電壓5v) zGt紅軟基地
(b)交流小信號源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- AC > zGt紅軟基地
IXXXX N+ N- AC > zGt紅軟基地
其中，ACMAG 和ACPHASE 分別表示交流小信號源的幅度和相位。 zGt紅軟基地
例如：V1 1 0 AC 1v (表示節(jié)點1，0 間加交流電壓幅值1v，相位0) zGt紅軟基地
(c)瞬態(tài)源 zGt紅軟基地
瞬態(tài)源有幾種，以下我們均只以電壓源為例，電流源類似: zGt紅軟基地
* 脈沖源(又叫周期源) zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- PULSE(V1 V2 TD TR TF PW PER) zGt紅軟基地
V1 初始值，V2 脈動值，TD 延時，TR 上升時間，TF下降時間，PW脈沖寬度，PER 周期 zGt紅軟基地
例如：V1 5 0 PULSE(0 1 2NS 4Ns 4Ns 20NS 50NS) zGt紅軟基地
* 正弦源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE) zGt紅軟基地
V0:偏置，VA:幅度，F(xiàn)REQ: 頻率 ，TD :延遲，THETA: 阻尼因子，PHASE:相位 zGt紅軟基地
* 指數(shù)源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2) zGt紅軟基地
V1初始值，V2中止值，TD1上升延時，TAU1上升時間常數(shù)，TD2下降延時，TAU2下降 zGt紅軟基地
時間常數(shù) zGt紅軟基地
例如:V1 3 0 EXP(0 2 2ns 30ns 60ns 40ns) zGt紅軟基地
* 分段線性源 zGt紅軟基地
VXXXX N+ N- PWL(T1 V1 ) zGt紅軟基地
其中每對值(T1，V1)確定了時間t=T1是分段線性源的值V1。 zGt紅軟基地
例如：Vpwl 3 0 PWL(0 1，10ns 1.5) zGt紅軟基地
(4) 子電路 zGt紅軟基地
* 子電路語 zGt紅軟基地
句 zGt紅軟基地
.SUBCKT SUBNAM N1< N2 。。。> zGt紅軟基地
子電路的定義由.SUBCKT 語句開始。SUBNAM是子電路名，N1< N2 。。。>是外部節(jié)點號 zGt紅軟基地
* 終止語句 zGt紅軟基地
.ENDS (表示結(jié)束子電路定義) zGt紅軟基地
* 子電路調(diào)用語句 zGt紅軟基地
XYYYY N1< N2 。。。> SUBNAM zGt紅軟基地
在Spice中調(diào)用子電路的方法是設(shè)定以字母X 開頭的偽元件名，其后是用來連接到子電路上 zGt紅軟基地
的節(jié)點號，在后面是子電路名。 zGt紅軟基地
例如：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4 zGt紅軟基地
具體運放電路描述 zGt紅軟基地
.ENDS zGt紅軟基地
Xop 1 2 3 4 OPAMP (調(diào)用該運放子電路) zGt紅軟基地
3 電路的分析類型描述語句 zGt紅軟基地
分析類型描述語句由定義電路分析類型的描述語句和一些控制語句組成，如直流分析 zGt紅軟基地
(.OP)，瞬態(tài)分析(.TRAN)等分析語句，以及初始狀態(tài)設(shè)置(.IC)，選擇項設(shè)置(.OPTIONS) zGt紅軟基地
等控制語句。它的位置可在標(biāo)題語句和結(jié)束語句之間的任何地方。 zGt紅軟基地
(1) .TRAN(瞬態(tài)分析語句) zGt紅軟基地
一般形式: .TRAN TSTEP TSTOP > zGt紅軟基地
TSETP 為時間增量，TSTOP 為終止時間，TSTART 為初始時間(若不設(shè)定，則隱含值為0) zGt紅軟基地
例如：.TRAN 1NS 10000NS 500NS (瞬態(tài)分析500—10000NS，步長為1NS) zGt紅軟基地
(2).AC(交流分析語句) zGt紅軟基地
在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)完成電路的交流小信號分析 zGt紅軟基地
.AC DEC ND FSTART FSTOP (數(shù)量級變化) zGt紅軟基地
其中，DEC 為10 倍頻，ND 為該范圍內(nèi)點的數(shù)目，F(xiàn)START初始頻率，F(xiàn)STOP 中止頻率。 zGt紅軟基地
例如： .AC DEC 10 1 10K (指從1 到10KHZ范圍，每個數(shù)量級取10 點，交流小 zGt紅軟基地
信號分析) zGt紅軟基地
(3).DC(直流掃描語句) zGt紅軟基地
是在指定的范圍內(nèi)，某一個獨立源或其他電路元器件參數(shù)步進(jìn)變化時，計算電路滯留輸 zGt紅軟基地
出變量的相應(yīng)變化曲線。 zGt紅軟基地
DC SRCNAN VSTART VSTOP VINCR <> zGt紅軟基地
例如： .DC VIN 0.25 5.0 0.25 (表示電壓源VIN 的值從0。25V掃描到5V，每次增量 zGt紅軟基地
0。25V) zGt紅軟基地
(4).OPTION(可選項語句) zGt紅軟基地
ACCT(打印出計算和運行時間統(tǒng)計) zGt紅軟基地
LIST(打印出輸入數(shù)據(jù)總清單) zGt紅軟基地
NODE(打印出結(jié)點表) zGt紅軟基地
NOMOD(抑制模型參數(shù)的打印輸出) zGt紅軟基地
具體電路的分析類型描述語句可查閱Hspice在線幫助。 zGt紅軟基地
4 輸出描述語句 zGt紅軟基地
(1) 文本打印語句.PRINT zGt紅軟基地
.PRINT TYPE ov1 zGt紅軟基地
TYPE 為指定的輸出分析類型，如(DC);OV1 為輸出變量名。 zGt紅軟基地
例如：.PRINT DC V(5) 。zGt紅軟基地

軟件截圖

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